|
|
|
|
|
|
|
荊鳳德(Chin, Feng-Der Albert)講座教授
荊鳳德博士為國立交通大學特聘教授，於1989年畢業於密西根大學電機工程系，並任職於AT&T貝爾實驗室、奇異公司General Electric電子實驗室、德州儀器Texas Instruments VLSI部門、國立新加坡大學客座教授、台灣奈米電子協會副主任、國立交通大學鑽石計畫副執行長及跨領域研究中心副主任。 荊教授是國際「高介電氧化層」電晶體(high-κ CMOS)的先驅，此創新電晶體可大幅改善直流漏電與功率損耗(DC power consumption)，目前已應用於全球IC廠如Intel、IBM、Samsung、TSMC、Global Foundries等。他並發明無缺陷絕緣鍺(defect-free Ge-on-Insulator)用來提高電晶體電子遷移率及降低IC「直流功率損耗」，發明3D-IC來降低電路「交流功率消耗」(AC switching power)與增加IC微縮，諧振腔光電探測器來增高頻寬，與高電子遷移率應變補償電晶體(strain-compensated InGaAs FET)。荊教授同時也是high-κ快閃記憶體、超低功率電阻式記憶體的先驅，他發明的高介電層氧化鈦/氧化鋯和鎳電極已用於DRAM元件製程。荊教授其他貢獻為矽基板上之高性能射頻電感、sub-THz (>100 GHz)濾波器和天線，其發明的非對稱 LDD MOSFET已用於高功率射頻IC。荊教授的研究領域包括:下世代奈米綠能電晶體、高功率車用電子元件(為Semiconductor Today報導http://www.semiconductor-today.com/)、量子快閃記憶體、太陽能電池、射頻元件、RF IC設計。 荊教授目前已出版超過400篇學術論文，其中有7篇為高引用文（前1％的科學引用指標）。其發表的high-κ電晶體、鍺電晶體、非揮發性記憶體、DRAM電容和射頻元件等相關論文，多次受「國際半導體技術藍圖」http://www.itrs.net/所引用。他曾受邀請演講於「國際電子元件會議」IEDM http://www.his.com/~iedm/、美歐日韓主要的電子元件會議及公司（IBM、SanDisk、Toshiba、三星電子等），曾擔任Invited Panelist於第62th Device Research Conference, Si Nanoelectronics Workshop, New channel MOSFET workshop。 荊教授並擔任IEEE特聘講師、IEEE Electron Device letters編輯、「國際電子元件會議」IEDM執行委員、國科會傑出研究獎等多項成就、受國際著名之「紐約時報」“The New York Times”所訪問報導。由於荊教授在「高介電氧化層」電晶體(high-κ gate dielectric and metal-gate CMOS)上的貢獻，獲頒IEEE Fellow。 本實驗室遵行IEEE EDS的精神： Promoting excellence in the field of electron devices for the benefit of humanity. 本實驗室好像很輕鬆，但是我們專注用腦的程度，不低於做實驗的時間，實際上很有挑戰。我們十分擅長用智慧來解決問題，如果沒有智慧，只靠爆肝當苦力，完全違反人性，以及21世紀價值觀。荊教授曾經多年擔任台積電的顧問與計畫合作，實驗室畢業的學生去台積電及聯發科的機率極高，請見：http://cpanel-199-19.nctu.edu.tw/~achin/member.htm，這也是荊教授上課不斷強調智慧創新而非死背，研究再創新上更要有商業使用的價值。雖然學習上好像很輕鬆，但是智慧的程度很有挑戰。本實驗室的價值在於努力做研究，技術創新領先工業界，開發新的產業，幫助台灣的護國神山。 <> ■ 合作計畫
<> ■聯絡方式
|
上次更新此站台的日期： 2019年09月10日