2019年12月05日

Highly cited papers (top 1% in Engineering worldwide):

1.       Cited times: 99

Y. H. Wu, M. Y. Yang, A. Chin, and W. J. Chen, “Electrical characteristics of high quality La₂O₃ dielectric with equivalent oxide thickness of 5Å,” IEEE Electron Device Lett. 21, 341 (2000).

2.       Cited times: 64

S. B. Chen, J. H. Lai, A. Chin, J. C. Hsieh, and J. Liu, “High density MIM capacitors using Al₂O₃ and AlTiO_x dielectrics,” IEEE Electron Device Lett. no. 4, pp. 185-187, 2002.

3.       Cited times: 85

S. Zhu, J. Chen, M.-F. Li, S. J. Lee, J. Singh, C. X. Zhu, A. Du, C.H. Tung, A. Chin, and D. L. Kwong, “N-type Schottky Barrier Source/Drain MOSFET using Ytterbium Silicide,” IEEE Electron Device Lett. 25, no. 8, pp. 565-567, 2004.

4.       Cited times: 59

N. Wu, Q. Zhang, C. Zhu, D. S. H. Chan, A. Du, N. Balasubramanian, M. F. Li, A. Chin, J. K. O. Sin, and D. L. Kwong, “A TaN-HfO₂-Ge pMOSFETs with novel SiH₄ surface passivation,” IEEE Electron Device Lett. 25, no. 9, pp. 631-633, 2004.

5.       Cited times: 56

S. Zhu, H. Y. Yu, S. J. Whang, J. H. Chen, C. Shen, C. Zhu, S. J. Lee, M. F. Li, DSH Chan, W. J. Yoo, A. Du, C. H. Tung, J. Singh, A. Chin, and D. L. Kwong, “Schottky-Barrier Source/Drain MOSFETs with High-K Gate Dielectrics and Metal Gate Electrode,” IEEE EDL 25, no. 5, pp. 268-270 (2004).

6.       Cited times: 36

D. S. Yu, C. H. Huang, A. Chin, C. Zhu, M. F. Li, B. J. Cho, and D. L. Kwong, “Al₂O₃/Ge-On-Insulator n- and p-MOSFETs with Fully NiSi and NiGe Dual Gates,” IEEE EDL. 25, no. 3, pp. 138-140 (2004).

7.       Cited times: 41

S. Zhu, R. Li, S. J. Lee, M. F. Li, A. Du, J. Singh, C. Zhu, A. Chin, and D. L. Kwong, “Germanium pMOSFETs With Schottky-Barrier Germanide S/D, High-k Gate Dielectric and Metal Gate,” IEEE Electron Device Lett. 26, no. 2, pp. 81-83, 2005

恭賀 荊鳳德教授 服務於IEEE Electron Device Letters,長達9年 impact factor of IEEE Electron Device Letters = 4.50

      12/24院教評會議~頒贈講座聘書

       交大電子研究所荊鳳德教授所發表的論文榮獲nanomaterials刊登期刊封面 (Cover Story)

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         與俄羅斯科學院共同發表論文，成為Top Artical in Device Physics of Applied Physics Letter(APL)

h-index: as high as 55! 在台灣所有電機工程系中,名列前茅

https://scholar.google.com/citations?user=FKlJjlsAAAAJ&hl=en

Worldwide Citation Ranking in Engineering among Authors with “Highly Cited Papers:  ranked 400

Reported by “The New York Times” 紐約時報

  Awards:

與業界脈動相結合，成果備受台積電董事長劉德音肯定 <台積電>董事長 Mark Liu IEEE EDTM Plenary Lecture	與業界脈動相結合，成果備受台積電技術長孫元成肯定 <台積電>研究發展副總經理暨技術長 Jack Sun EDS Distinguished Lecturer since 2009	與業界脈動相結合，成果備受旺宏總經理肯定 <旺宏電子> EDS Electronic Materials Committee Chair 2014-2015
Technical Committee Chair, IEEE EDS Compound Semiconductor Devices & Circuits 2016-2017     IEEE Electron Device Society appreciation of Valued Service and Contribution 2016-17	EDS Region 10 SRC Chair 2018-2019 荊老師榮獲交大特聘教授	2019 IEEE ED INDONESIA CHAPTER Mini-Colloquium, Denpasar 國科會主委傑出獎頒獎
行政院國家科學委員會傑出研究獎	荊老師榮獲 IEEE Fellow	荊老師榮獲99年度國科會傑出研究獎 為校爭光
2005年論文引用次數高達18次 <Science Citation Index>	2004年論文引用次數高達29次 <SCI>	2004年論文引用次數高達25次 <SCI>
2004年論文引用次數高達21次 <SCI>	2004年論文引用次數高達30次 <SCI>	2002年論文引用次數高達40次 <SCI>
2000年論文引用次數高達69次 <SCI>	學術研究成果豐碩，掌握固態電子潮流 <2006年 入選三篇VLSI Symposium>	學術研究成果豐碩，掌握固態電子潮流 <2005年 入選四篇IEDM>
學術研究成果豐碩，掌握固態電子潮流 <2005年 入選四篇VLSI Symposium>	實驗室榮獲CIC 2004 優良設計獎肯定	受邀國際會議演講，於國際上大放光彩 <2003 IEDM>
受邀國際會議演講，於國際上大放光彩 <2001 IWGI>	學術研究成果豐碩，掌握固態電子潮流 <2001年 入選三篇IEDM（台灣學界共四篇）>	學術研究成果豐碩，掌握固態電子潮流 <2000年 入選International Microwave Symp.（IEEE最大會議，台灣該年共四篇）>
學術研究成果豐碩，掌握固態電子潮流 <2000年 入選VLSI Technology Symposium>	荊老師獲聘為國家奈米元件實驗室兼任研究員	荊老師在綠色元件上努力所獲得的表揚
荊老師受邀至國際知名會議發表 2011 11th Non- Volatile Memory Technology (2011 11屆國際非揮發性記憶體研討會 於中國上海)	荊老師受邀至國際知名會議發表 2011 11th Non- Volatile Memory Technology (2011 11屆國際非揮發性記憶體研討會 於中國上海)	荊老師受邀至國際知名會議發表 2011 11th Non- Volatile Memory Technology (2011 11屆國際非揮發性記憶體研討會 於中國上海)
荊老師與IEEE President合照	荊老師獲頒固態與積體電路領域榮譽證書	荊老師與耶魯大學馬佐平院士合照於新竹
荊老師受邀IEDM演講	荊老師榮獲OSA Fellow	ICSI8 invited talk & session chair
OSA FELLOW	與IBM Tak H. Ning院士合照於T. J. Watson Research Center	IEEE-RSM 2013 KEYNOTE SPEAKER
荊老師榮獲奈米科技傑出技術轉移獎	荊老師榮獲奈米科技傑出技術轉移獎	荊老師榮獲奈米科技傑出技術轉移獎
2009 IEEE IEDM Executive Committee	荊老師榮獲IEEE EDS傑出講者	荊老師受聘為國立交通大學特聘教授
The 1st TECHNICAL BRIEFS from Asia reported in IEEE EDS Newsletter	荊老師受邀至微電論壇發表演講	荊老師受邀至2015國際電機電子學會電子元件學會之微電論壇發表演講
荊老師榮獲科技部103年度傑出研究獎	荊老師榮獲科技部103年度傑出研究獎	荊老師榮獲科技部103年度傑出研究獎
荊老師榮獲亞太材料學院院士	荊老師榮獲行政院科技部103年度傑出研究獎	APAM ACADEMICIAN
2017 IEEE Electron Devices Mini-Colloquium, Shenzhen Top 100 Scientific Reports Physics papers in 2019 (from nature research)	Top 100 Scientific Reports Physics papers in 2017 (from nature research) 與俄羅斯科學院共同發表論文，成為Top Artical in Device Physics of Applied Physics Letter(APL)	Top 100 Scientific Reports Physics papers in 2018 (from nature research)